优势

　　全口径均匀采样测量，采样间隔最少可至0.1mm

　　同时具备翘曲测量及应力测量功能

　　全直观展现薄膜导致的晶圆形变，可计算整面应力mapping和任意角度的曲率及应力

　　全丰富的软件分析功能，包括：三维翘曲图、晶圆翘曲参数统计（BOW，WARP等）、ROI分析、薄膜应力及分布、应力随时间变化、薄膜应力变温测量、曲率计算、多项式拟合、空间滤波等多种后处理算法。

　　适用对象

　　2-8 英寸透明、半透明或非透明的抛光晶圆（硅、砷化镓、钽酸锂、玻璃、蓝宝石、磷化铟、碳化硅、氮化镓等材质）、键合晶圆、图形晶圆、方形玻璃等。

　　可检测经过薄膜工艺处理后的透明、半透明或非透明表面，薄膜材质包含且不限于：Si、 SiO2、SiN、三氧化二铝、光刻胶、金属薄膜、胶黏剂、纳米高分子膜、有机/无机杂化膜等。

　　适用领域

　　半导体及玻璃晶圆的生产和质量检查

　　半导体薄膜工艺的研究与开发

　　半导体制程和封装减薄工艺的过程控制和故障分析

　　测量原理

　　1. 晶圆制程中会在晶圆表面反复沉积薄膜，基板与薄膜材料特性的差异导致晶圆翘曲，翘曲和薄膜应力会对工艺良率产生重要影响

　　2. 采用结构光反射成像方法测量晶圆的三维翘曲分布，通过翘曲曲率半径测量来推算薄膜应力分布，具有非接触、免机械扫描和高采样率特点，6英寸晶圆全口径测量时间低于30s

　　3. 通过Stoney公式及相关模型计算晶圆应力分布

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