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单温区PE-CVD系统采用高性能射频电源，等离子体更稳定；
滑轨式结构能使整个反应腔室都处于辉光产生区；
可实现快速升温和降温功能；与传统CVD相比较，生长温度更低。
技术参数
型号：TFE - 1200 - 50 - 220
设计温度：1150℃（短期）
额定温度：1100℃
推荐升温速率：≤10℃/min
控制精度：±1℃
炉管尺寸：Φ30/50/60*1200mm
炉膛尺寸：Φ80*220mm
加热区长度：220mm
恒温区长度：80mm
加热元件：优质国产电阻丝
额定功率：3KW
供气系统：
①三路高精度MFC
②量程0-500sccm（可定制）
射频电源：
①射频功率：5-500W；
②射频频率：13.56MHz；
③匹配方式：自动匹配
真空系统：双级旋片真空泵（可定制扩散泵 分子泵等）
外形尺寸：1250*510*810mm
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